MT29E4T08CTHBBM5-3:B

MT29E4T08CTHBBM5-3:B是美光科技生产的一款4Tb容量NAND闪存芯片，采用并行接口技术，时钟频率可达333MHz，提供高速数据读写性能。其存储组织为512G x 8结构，工作电压范围2.5V~3.6V，适用于商业温度环境（0°C~70°C），并以非易失性存储确保数据持久性。

该芯片的核心优势在于高密度存储与并行带宽的结合，适合处理大规模连续数据流。其托盘包装便于集成，主要面向现有系统的维护与升级。对于企业存储、服务器或多媒体设备等需要大容量高速存储的应用，这款芯片提供了可靠的硬件基础。

• 型号:MT29E4T08CTHBBM5-3:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4TBIT PARALLEL 333MHZ
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Tb
• 存储器组织:512G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• 想获取MT29E4T08CTHBBM5-3:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料