MT28F800B3SG-9 B

MT28F800B3SG-9 B是美光科技生产的一款8Mb并行NOR闪存芯片，采用44-SOIC封装。该器件提供1M x 8位或512K x 16位的灵活存储组织，支持快速的随机读取和字节/字编程操作，其核心优势在于90ns的快速访问时间和写周期时间，能有效提升系统启动和代码执行效率。

芯片工作电压为3.0V至3.6V，功耗较低，兼容标准的3.3V逻辑电平。其非易失性特性确保了数据在断电后长期保存，工作温度范围覆盖0°C至70°C。这些特性使其成为存储固件、引导代码、配置参数或查找表的可靠选择，广泛应用于需要可靠、快速读取存储代码的嵌入式控制、通信和消费电子系统中。

• 型号:MT28F800B3SG-9 B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:44-SO
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:90ns
• 访问时间:90 ns
• 电压 - 供电:3V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:44-SOIC（0.496，12.60mm 宽）
• 供应商器件封装:44-SO
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