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MICRON
MT36HTS51272FY-53EA2E3的图片

MT36HTS51272FY-53EA2E3

美光(MICRON)图标
存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE DDR2 4GB 240FBDIMM
原厂封装:240-FBDIMM
优势价格,MT36HTS51272FY-53EA2E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT36HTS51272FY-53EA2E3的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT36HTS51272FY-53EA2E3是美光科技出品的一款4GB容量DDR2 SDRAM全缓冲内存模块(FBDIMM)。该模块采用240针FBDIMM封装,专为高端服务器平台设计,通过集成的高级内存缓冲器(AMB)实现信号增强与串行点对点连接,有效提升了系统在多模块配置下的信号完整性与扩展能力。

其核心规格包括533MT/s的数据传输速率4GB的存储容量,能够为数据密集型应用提供高带宽与大内存资源池。此型号适用于需要高可靠性、大内存容量和优异扩展性的企业级服务器、工作站及高性能计算系统,是构建稳健数据中心基础设施的关键组件之一。

  • Micron美光半导体完整型号: MT36HTS51272FY-53EA2E3
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 功能总体简述: MODULE DDR2 4GB 240FBDIMM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR2 SDRAM
  • 存储容量: 4GB
  • 速度: 533MT/s
  • 封装/外壳: 240-FBDIMM
  • 想获取MT36HTS51272FY-53EA2E3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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