MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A TR是美光科技生产的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口。它提供32G x 8的组织结构，支持高达100MHz的时钟频率，可实现高速数据读写操作。
该芯片工作电压为2.7V至3.6V，采用100-TBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级嵌入式存储应用。其设计旨在满足对大容量、非易失性存储有严格要求的系统需求。
- 型号:MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-TBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-TBGA
- 供应商器件封装:100-TBGA（12x18）
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