MT28F004B5VG-8 B TR是美光科技生产的一款4Mb容量并行NOR闪存芯片，采用512K x 8位组织架构。该器件提供80ns的快速访问时间和写周期时间，支持高效的程序执行与数据读写操作。
其工作电压范围为4.5V至5.5V，兼容标准5V系统，并采用40-TSOP表面贴装封装，适用于紧凑的板级设计。该芯片主要面向需要非易失性存储且对代码读取速度有要求的嵌入式应用，如工业控制、通信设备等。产品状态为停产，建议在选型时咨询相关渠道获取详细信息。
- 型号:MT28F004B5VG-8 B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:40-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:80ns
- 访问时间:80 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:40-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:40-TSOP I
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