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MICRON
M58WR064KU70ZA6F TR的图片

M58WR064KU70ZA6F TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 88VFBGA
原厂封装:产品封装:88-VFBGA
优势价格,M58WR064KU70ZA6F TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M58WR064KU70ZA6F TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

M58WR064KU70ZA6F TR是一款64Mb(4M x 16位)容量的并行接口NOR闪存芯片,由美光科技制造。该芯片采用1.8V低电压供电(范围1.7V~2.0V),在-40°C至85°C的工业级温度范围内保证稳定运行,满足严苛环境的应用需求。

其核心优势在于高达66MHz的操作频率和70ns的快速访问/写入时间,能够支持处理器的高速代码直接读取执行(XIP),显著提升系统启动和运行效率。芯片采用88-VFBGA小型化封装,适合空间受限的嵌入式设计,为工业控制、汽车电子及网络设备提供了高可靠性的非易失性程序存储解决方案。

  • 制造商产品型号:M58WR064KU70ZA6F TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 88VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:64Mb(4M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:66MHz
  • 写周期时间-字,页:70ns
  • 访问时间:70ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 2V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:88-VFBGA
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