M58WR064KT7AZB6F TR是美光科技生产的一款64Mb容量并行NOR闪存，采用4M x 16位组织架构和56-VFBGA封装。该器件核心优势在于其70ns的快速访问时间与高达66MHz的操作频率，为处理器提供了近乎零等待状态的数据读取体验，极大优化了代码执行效率。
其工作电压范围为1.7V至2V，在实现高性能的同时兼顾了低功耗需求，并且支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在恶劣环境下的可靠性。作为一款并行接口的非易失性存储器，它主要面向需要高速、可靠代码存储及直接执行的嵌入式应用领域。
- 型号:M58WR064KT7AZB6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-VFBGA
- 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
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