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MICRON
MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR的图片

MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ
原厂封装:产品封装:-
优势价格,MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR是美光科技推出的一款32Gb容量LPDDR4移动DRAM,采用512M x 64的存储结构,在1866MHz时钟频率下可提供高带宽数据吞吐。其核心优势在于1.1V低电压运行与宽温工作范围(-30°C至85°C),在保证性能的同时显著优化能效。

该器件基于卷带(TR)封装,适用于自动化贴装流程,其易失性存储格式与标准LPDDR4接口兼容,能够满足移动设备对高速缓存与内存扩展的严苛要求。这些特性使其成为智能手机、平板及嵌入式系统等高密度、低功耗应用的理想存储解决方案。

  • 制造商产品型号:MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
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