M58WR064KT70ZB6F TR

M58WR064KT70ZB6F TR是美光科技推出的一款64Mb容量并行接口NOR闪存芯片，采用4M x 16位的存储结构。该器件基于NOR技术，提供非易失性数据存储，其核心优势在于高达66MHz的时钟频率以及70ns的快速访问与写入时间，确保了高效的数据吞吐和系统响应速度。

该芯片工作电压范围为1.7V至2.0V，支持低功耗操作，并具备-40°C至85°C的宽工作温度范围，满足工业级应用需求。其采用56-VFBGA小型化封装，适合空间受限的嵌入式设计，广泛应用于汽车电子、工业控制、网络通信及需要快速启动的各类嵌入式系统中。

• 制造商产品型号：M58WR064KT70ZB6F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：64Mb（4M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：66MHz
• 写周期时间-字，页：70ns
• 访问时间：70ns
• 电压-供电：1.7V ~ 2V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：56-VFBGA
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