MT47H32M16NF-25E AAT:H是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片,采用32M x 16位架构。该器件在400MHz时钟频率下运行,凭借DDR2技术实现高达800MT/s的数据传输速率,并提供低至400ps的快速访问时间,能满足高速数据处理应用的带宽需求。
其工作电压为1.7V至1.9V,有助于降低系统整体功耗。该芯片采用84-TFBGA封装,支持表面贴装,并具备-40°C至105°C的宽工作温度范围,确保了在工业及扩展温度环境下的可靠性与稳定性。这些特性使其成为网络、嵌入式系统及汽车电子等领域中要求高性能和强环境适应性的理想内存解决方案。
- 型号:MT47H32M16NF-25E AAT:H
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA(8x12.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
- 想获取MT47H32M16NF-25E AAT:H的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料