M58LT256KST8ZA6E

M58LT256KST8ZA6E是美光科技生产的一款256Mb容量并行NOR闪存芯片。其核心组织架构为16M x 16位，通过并联接口提供高速数据访问，时钟频率可达52MHz，访问时间仅为85ns，确保了系统代码执行的快速性与确定性。

该器件工作于1.7V至2.0V的低电压范围，支持页编程操作以优化写入效率，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作。采用64-TBGA表面贴装封装，主要面向需要可靠存储和快速读取引导代码、应用程序或固件的嵌入式系统，如工业控制、汽车电子及网络设备等应用领域。

• 制造商产品型号：M58LT256KST8ZA6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：256Mb（16M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：52MHz
• 写周期时间-字，页：85ns
• 访问时间：85ns
• 电压-供电：1.7V ~ 2V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：64-TBGA
• 想获取M58LT256KST8ZA6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料