M58LT128HSB8ZA6F TR 是美光科技生产的一款128Mbit并行NOR闪存芯片，采用80-LBGA封装。该器件提供8M x 16位的存储结构，访问时间仅为85ns，支持高达52MHz的时钟频率，确保了高速的数据读取和代码执行性能。
其工作电压范围为1.7V至2.0V，适用于低功耗设计，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作，满足严苛环境的应用需求。该芯片具备快速的编程和擦除能力，是嵌入式系统中用于存储启动代码、应用程序或配置数据的可靠解决方案。
- 型号:M58LT128HSB8ZA6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:80-LBGA（10x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80LBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:52 MHz
- 写周期时间 - 字，页:85ns
- 访问时间:85 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:80-LBGA
- 供应商器件封装:80-LBGA（10x12）
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