M58LT256JST8ZA6F TR是美光科技推出的一款256Mb（16M x 16位）并行NOR闪存芯片。它采用1.7V至2.0V的低电压供电，访问时间与写周期时间均为85ns，时钟频率最高可达52MHz，提供了快速的数据读取和编程能力，适合对代码执行速度有要求的嵌入式应用。
该器件采用80-LBGA表面贴装封装，工作温度范围为工业标准的-40°C至85°C，确保了在宽温环境下的可靠性。其非易失的NOR闪存技术为系统提供了可靠的启动代码和固件存储解决方案，广泛应用于工业控制、网络通信和汽车电子等领域。
- 型号:M58LT256JST8ZA6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:80-LBGA（10x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 80LBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:52 MHz
- 写周期时间 - 字，页:85ns
- 访问时间:85 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:80-LBGA
- 供应商器件封装:80-LBGA（10x12）
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