MT29F4G08ABADAWP:D TR是美光科技推出的一款4Gb（512M x 8位）容量NAND闪存芯片，采用并行接口，属于非易失性存储器。该器件工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容性广，并采用表面贴装型的48-TFSOP封装，支持卷带和剪切带包装，便于规模化生产集成。
其核心特性在于提供了可靠的、中等密度的数据存储解决方案，适用于商业温度范围（0°C至70°C）内的各种电子系统。该芯片基于成熟的NAND闪存技术，能够满足嵌入式应用中对固件存储、数据记录及文件系统的稳定需求。
- 型号:MT29F4G08ABADAWP:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
- 想获取MT29F4G08ABADAWP:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
