MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR是美光科技推出的一款高容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装，提供1.125Tb（144G x 8）的非易失存储能力。其工作电压范围为2.5V至3.6V，适用于表面贴装设计，支持商业级温度环境（0°C至70°C）。
该芯片基于闪存技术，具备大容量数据存储和高速并行传输的特点，主要面向嵌入式存储应用。尽管产品状态已标注为停产，但其技术规格仍可作为特定系统设计或备件方案的参考。
- 型号:MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1.125Tb
- 存储器组织:144G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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