M58LR128KT85ZB6E是美光科技推出的一款128Mb并行NOR闪存芯片，采用8M x 16位的存储结构。该器件提供85ns的快速访问时间和写周期时间，支持高达66MHz的时钟频率，能够为微处理器提供高效的代码执行（XIP）支持，显著提升系统启动和运行性能。
其工作电压范围为1.7V至2.0V，支持低功耗运行，并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保在恶劣环境下稳定工作。芯片采用56-VFBGA小型化封装，适合空间受限的嵌入式设计。这些特性使其成为工业控制、汽车电子及网络设备等领域中存储关键固件和引导代码的可靠解决方案。
- 型号:M58LR128KT85ZB6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字，页:85ns
- 访问时间:85 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-VFBGA
- 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
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