M39L0R8090U3ZE6F TR是美光科技推出的一款集成NOR Flash与Mobile LPDDR SDRAM的复合存储器。该芯片在一个133-VFBGA封装内提供了256Mb NOR Flash和512Mb Mobile LPDDR SDRAM，通过并联接口实现高速数据访问。
其核心优势在于高集成度与低功耗设计。1.7V至1.95V的宽电压范围支持电池供电应用，70ns的NOR Flash访问时间保障了系统响应速度。这种二合一存储方案显著节省了电路板空间，简化了设计，适用于对尺寸和功耗敏感的设备。
该器件工作温度范围为-40°C至85°C，具备良好的环境适应性，可满足消费电子、工业控制及车载系统等多种嵌入式场景对可靠存储解决方案的需求。
- 型号:M39L0R8090U3ZE6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:133-VFBGA（8x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLSH RAM 256MBIT PAR 133VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:FLASH - NOR，Mobile LPDDR SDRAM
- 存储容量:256Mb，512Mb
- 存储器组织:16M x 16，32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:133-VFBGA
- 供应商器件封装:133-VFBGA（8x8）
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