M25PE10-VMN6TPBA TR是美光科技生产的一款1Mb容量串行NOR闪存存储器。该器件采用8引脚SOIC封装，通过标准SPI接口与主机通信，时钟频率最高可达75MHz，支持高速数据读取。其工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容广泛的3.3V系统，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作。
该芯片的组织结构为128K x 8位，提供页编程和扇区擦除功能，页编程时间典型值为3ms。它集成了必要的写保护机制和状态寄存器，便于系统进行可靠的存储管理。作为一款成熟的SPI闪存解决方案，它适用于需要可靠的非易失性存储且对电路板空间和接口简洁性有要求的嵌入式应用。
- 型号:M25PE10-VMN6TPBA TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:8-SO
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1MBIT SPI 75MHZ 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:1Mb
- 存储器组织:128K x 8
- 存储器接口:SPI
- 时钟频率:75 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ms，3ms
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SO
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