M29W800DT45N6E是美光科技生产的一款8Mb并行NOR闪存芯片，提供1M x 8位或512K x 16位的存储配置。该器件采用48-TSOP封装，支持表面贴装，其核心优势在于45ns的高速访问时间和写周期时间，能够实现高效的数据读写与代码执行。
芯片工作电压为2.7V至3.6V，兼容主流3.3V系统，并具备-40°C至85°C的宽工业级工作温度范围，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。其并行接口设计为微处理器提供了快速、直接的存储访问路径，非常适合用作嵌入式系统中的启动引导（Boot）或应用程序代码存储介质。
- 型号:M29W800DT45N6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8，512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:45ns
- 访问时间:45 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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