MT47H64M16HR-3:E TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2同步动态随机存取存储器(SDRAM),采用64M x 16位的组织架构。该器件基于并联接口,封装于84-TFBGA中,适用于表面贴装工艺,其核心优势在于高达333MHz的时钟频率,可实现667MT/s的数据传输速率,为系统提供高带宽的数据通道。
该芯片在1.8V典型电压下工作,具备快速的访问时间(450ps)和写周期时间(15ns),有效降低了数据存取延迟。其设计集成了包括片内终结(ODT)在内的多种信号完整性增强特性,并支持可编程的突发模式与时序参数,使设计人员能够根据具体应用优化性能与功耗。这些特性使其成为要求稳定、高效内存子系统的网络、工业及嵌入式应用的合适选择。
- 型号:MT47H64M16HR-3:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA(8x12.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:450 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
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