M29W640GH70NB6E 是 Micron Technology 生产的一款 64Mb 并行 NOR 闪存存储器。该芯片采用非易失性存储技术，提供 8M x 8 位或 4M x 16 位的灵活存储组织方式，支持快速的随机字节访问，访问时间仅为 70ns。
其工作电压范围为 2.7V 至 3.6V，兼容低功耗设计，并能在 -40°C 至 85°C 的工业级温度范围内稳定运行。器件采用 56-TSOP 表面贴装封装，适用于对空间和可靠性有较高要求的嵌入式系统，如工业控制、网络设备和汽车电子等领域，用于存储和执行关键的系统固件与代码。
- 型号:M29W640GH70NB6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:8M x 8，4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:56-TSOP
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