M29W400DB55N6是美光科技推出的一款4Mbit并行NOR闪存芯片。它采用非易失性存储技术，提供512K x 8位或256K x 16位的灵活组织方式，并支持55ns的快速访问时间和字/页写入周期，确保了高效的数据吞吐能力。
该器件工作电压为2.7V至3.6V，可在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定运行，具备良好的环境适应性。其标准的并行接口简化了与微处理器的连接设计。芯片采用48引脚TSOP表面贴装封装，适用于对空间有要求的嵌入式应用，曾是存储引导代码、应用程序或关键配置数据的可靠解决方案。
- 型号:M29W400DB55N6
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8，256K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:55ns
- 访问时间:55 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
- 想获取M29W400DB55N6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
