M29W256GL7AN6E是美光科技推出的一款256Mb容量并行NOR闪存存储器，采用56-TFSOP表面贴装封装。该芯片提供32M x 8位或16M x 16位的灵活存储结构，支持快速的随机访问，其读取和字/页写入的典型时间均为70ns，能够有效提升系统响应与代码执行效率。
器件工作在2.7V至3.6V的宽电压范围，并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在恶劣环境下的稳定运行和数据非易失性保持。其并行接口为数据密集型应用提供了高带宽通路，适用于需要可靠固件存储和直接执行的各类嵌入式平台。
- 型号:M29W256GL7AN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8，16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:56-TSOP
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