MT29F1G08ABAEAM68M3WC1

MT29F1G08ABAEAM68M3WC1是美光科技生产的一款1Gb（128M x 8位）并行接口NAND闪存芯片。该器件采用非易失性存储技术，确保数据在断电后不丢失，其工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容性广，适用于多种嵌入式电源设计方案。

芯片的核心优势在于其并联存储器接口与1Gb的存储密度，能够提供高效的数据吞吐能力，适合处理顺序读写操作。产品在0°C至70°C的标准商业温度范围内运行稳定，满足主流电子应用的环境可靠性要求。此型号为有源产品，以散装形式供应，便于集成到需要经济型、中等容量固态存储的各类电子系统中。

• 型号:MT29F1G08ABAEAM68M3WC1
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:模具
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL DIE
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:模具
• 供应商器件封装:模具
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