M29W128GL90N6E是美光科技推出的一款128Mb并行NOR闪存芯片，采用56-TSOP表面贴装封装。它提供16M x 8位或8M x 16位的可配置存储结构，支持快速的随机访问，其访问时间和写周期时间均为90ns，适用于需要直接执行代码的嵌入式系统。
该器件工作电压范围为2.7V至3.6V，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定运行，确保了在恶劣环境下的可靠性。其标准的并行接口简化了与主处理器的连接，主要服务于对数据存储可靠性和读取速度有严格要求的应用场景。
- 型号:M29W128GL90N6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8，8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:90ns
- 访问时间:90 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:56-TSOP
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