M29W128GL70N6F TR是美光科技生产的一款128Mb（兆位）并行NOR闪存存储器，采用56引脚TSOP表面贴装封装。该芯片提供16M x 8位或8M x 16位的存储结构，支持灵活的字节或字宽访问模式，便于集成到不同的系统总线中。
其核心优势在于70ns的快速访问时间和字编程时间，确保了高效的数据读取和写入性能，非常适合需要直接从闪存执行代码的应用场景。器件工作在2.7V至3.6V的宽电压范围，并具备-40°C至85°C的工业级温度耐受能力，保证了在苛刻环境下的稳定性和数据非易失性。
- 型号:M29W128GL70N6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8，8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:56-TSOP
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