MT47R256M8EB-25E:C是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用256M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口设计，核心时钟频率为400MHz，凭借双倍数据速率（DDR）技术，可实现高达800MT/s的数据传输速率，为系统提供高效的数据带宽。
芯片工作在1.55V至1.9V的低电压范围，有助于降低整体系统功耗。其关键性能指标包括400ps的访问时间和15ns的写周期时间，确保了快速的数据响应能力。该产品采用60-FBGA表面贴装封装，适用于0°C至85°C的工业级温度环境，主要面向对内存性能和可靠性有较高要求的嵌入式及网络通信应用。
- 型号:MT47R256M8EB-25E:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.55V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
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