MT45W4MW16BBB-708 WT TR

MT45W4MW16BBB-708 WT TR是美光科技生产的一款64Mb（4M x 16位）并行接口伪静态随机存取存储器（PSRAM）。该器件采用1.7V至1.95V低电压供电，访问时间与写周期时间均为70ns，提供了稳定的读写性能。其核心价值在于通过内置刷新控制器，对外呈现出标准SRAM的简易接口，无需外部刷新逻辑，简化了系统设计。

该芯片采用54-VFBGA表面贴装封装，工作温度范围为-30°C至85°C，适用于对可靠性和空间有要求的工业及嵌入式环境。作为一款易失性存储器，它主要服务于需要中等容量、快速存取且注重设计简便性的应用，如作为各类电子设备中的缓存或缓冲区。

• 制造商产品型号：MT45W4MW16BBB-708 WT TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：PSRAM
• 技术：PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量：64Mb（4M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：70ns
• 访问时间：70ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：54-VFBGA
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