MT46V64M4TG-5B:G TR

MT46V64M4TG-5B:G TR是美光科技（Micron Technology）生产的一款256Mb容量DDR SDRAM芯片，采用64M x 4的内部组织架构。该器件基于并联接口，在2.5V~2.7V的供电电压下工作，时钟频率可达200MHz，实现双倍数据速率传输，有效提升系统内存带宽。

其关键参数包括700ps的访问时间和15ns的写周期时间，确保了快速的数据读写能力。芯片采用66-TSOP表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级应用环境。该产品为需要中等密度、标准DDR内存解决方案的嵌入式系统提供了经过验证的可靠选择。

• 制造商产品型号：MT46V64M4TG-5B:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：256Mb（64M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.5V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：66-TSSOP (szeroko 0，400，10，16mm)
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