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MICRON
M29F800FB52M3F2 TR的图片

M29F800FB52M3F2 TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
原厂封装:产品封装:44-SOIC(0.496,12.60mm 宽)
优势价格,M29F800FB52M3F2 TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M29F800FB52M3F2 TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

M29F800FB52M3F2 TR是美光科技生产的一款8Mbit并行NOR闪存,采用44-SOIC表面贴装封装。该器件提供1M x 8位或512K x 16位两种可配置的存储组织方式,具有55ns的快速访问时间和写周期时间,支持在4.5V至5.5V电压及-40°C至125°C的宽温范围内稳定工作。

其基于NOR闪存技术,具备非易失性存储特性,通过标准并行接口与主控制器连接,便于系统集成。芯片内置数据保护机制,适用于需要可靠固件存储、参数保存或支持芯片内执行(XIP)功能的工业控制、汽车电子及通信设备等嵌入式应用领域。

  • 制造商产品型号:M29F800FB52M3F2 TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:8Mb(1M x 8,512K x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:55ns
  • 访问时间:55ns
  • 电压-供电:4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:44-SOIC(0.496,12.60mm 宽)
  • 想获取M29F800FB52M3F2 TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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