M29F800DB70M6E是美光科技推出的一款8Mb并行NOR闪存芯片，采用44-SOIC封装。该器件提供1M x 8位或512K x 16位两种可选的存储组织方式，具备70ns的快速访问时间和写周期时间，支持字节/字编程及扇区擦除操作，内置的算法简化了主机管理负担。
其工作电压范围为4.5V至5.5V，工作温度覆盖工业标准的-40°C至85°C，确保了在宽温及电压波动环境下的数据可靠性。作为一款非易失性存储器，它适用于需要可靠固件存储、快速读取和执行代码的各类嵌入式系统应用。
- 型号:M29F800DB70M6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:44-SO
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8，512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:44-SOIC（0.525，13.34mm 宽）
- 供应商器件封装:44-SO
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