MT29F1G08ABADAWP:D TR是美光科技推出的一款1Gb（128M x 8位）容量NAND闪存芯片。该器件采用并行接口，提供字节宽度的数据总线，便于与多种主处理器直接连接，实现高效的数据传输。
其核心特性包括2.7V至3.6V的宽工作电压范围，兼容主流3.3V系统，以及0°C至70°C的商业级工作温度。芯片采用48-TSOP表面贴装封装，适用于标准PCB组装工艺。作为一款非易失性存储器，它为需要可靠存储固件、配置或用户数据的应用提供了成熟的解决方案。
- 型号:MT29F1G08ABADAWP:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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