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MICRON
MT47H128M8B7-37E L:A TR的图片

MT47H128M8B7-37E L:A TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA
原厂封装:封装:92-FBGA(11x19)
优势价格,MT47H128M8B7-37E L:A TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H128M8B7-37E L:A TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H128M8B7-37E L:A TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM芯片,采用128M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口,核心工作电压为1.7V~1.9V,时钟频率达267MHz,可实现533MT/s的数据传输速率,并提供400ps的快速访问时间。

芯片采用92-VFBGA表面贴装封装,卷带包装,工作温度范围为0°C至85°C。其关键特性包括15ns的写周期时间以及符合DDR2标准的低功耗设计,适用于对内存带宽和响应速度有中等要求的嵌入式及消费电子应用场景。

  • 型号:MT47H128M8B7-37E L:A TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:92-FBGA(11x19)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:267 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:92-TFBGA
  • 供应商器件封装:92-FBGA(11x19)
  • 想获取MT47H128M8B7-37E L:A TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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