MT29F1T08EELCEJ4-R:C是美光科技生产的一款1Tb容量NAND闪存芯片,采用TLC(3位每单元)技术和并联接口。该器件提供128G x 8位的存储组织,工作电压为2.7V至3.6V,属于非易失性存储器,确保数据在断电后不丢失。
其核心卖点在于高密度存储与并行数据访问能力的结合,适用于需要高速、大容量数据缓冲和存储的应用。芯片采用132-VBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至70°C,主要面向企业存储、数据中心及高端嵌入式系统等对存储性能和容量有严格要求的领域。
- 制造商产品型号:MT29F1T08EELCEJ4-R:C
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:散装
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND(TLC)
- 存储容量:1Tb(128G x 8)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:132-VBGA
- 想获取MT29F1T08EELCEJ4-R:C的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料