MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR是美光科技生产的一款1Tb（128GB）容量的NAND闪存芯片，采用TLC（Triple-Level Cell）技术和8位数据总线宽度（128G x 8）。该器件以高存储密度为核心卖点，在单颗芯片上实现了海量数据存储能力。
芯片采用VBGA封装，并以卷带（TR）形式供货，适合自动化表面贴装工艺，有利于规模化生产。其设计旨在平衡大容量存储与成本效益，适用于对存储空间有较高要求的嵌入式应用。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态。
- 型号:MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Tb
- 存储器组织:128G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
- 想获取MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
