M29DW256G7ANF6F TR 是美光科技生产的一款256Mb容量并行NOR闪存存储器，采用16M x 16位的组织架构。该芯片提供70ns的快速访问时间和写周期时间，支持字节与字操作模式，能够满足嵌入式系统中对代码直接执行（XIP）的高性能要求。
其工作电压为2.7V至3.6V，并可在-40°C至85°C的扩展工业温度范围内稳定工作，确保了在苛刻环境下的可靠性。器件采用56-TSOP表面贴装封装，具备非易失性数据存储特性，适用于需要可靠存储启动代码、应用程序或关键数据的各类电子系统。
- 型号:M29DW256G7ANF6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:56-TSOP
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