EDF8164A3PK-JD-F-R

EDF8164A3PK-JD-F-R是美光科技推出的一款8Gb（128M x 64）容量的移动低功耗双倍数据速率同步动态随机存储器（Mobile LPDDR3 SDRAM）。该器件采用并联接口与216-ball FBGA封装，核心时钟频率达933MHz，能够为系统提供高带宽的数据访问能力，满足处理器对大数据量实时处理的需求。

其核心优势在于优异的能效表现，工作电压范围宽达1.14V至1.95V，可根据性能需求动态调节功耗，显著延长电池供电设备的续航时间。同时，该芯片支持-30°C至85°C的工业级工作温度范围，并采用表面贴装形式，确保了在紧凑空间及各种环境条件下的可靠运行，适用于对空间、功耗和可靠性有严格要求的嵌入式与移动计算平台。

• 型号:EDF8164A3PK-JD-F-R
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:128M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
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