MT49H32M18CFM-25:B TR是一款由Micron Technology制造的576Mb并行接口DRAM芯片。该器件采用32M x 18的存储组织结构，时钟频率高达400MHz，结合DDR技术可实现高速数据传输，其核心访问时间为20ns，确保了低延迟的数据存取性能。
芯片采用1.8V核心电压供电，工作温度范围为0°C至95°C，采用144-TFBGA表面贴装封装，适用于高密度板级设计。其高带宽和可靠的并行接口特性，使其成为对数据吞吐量有严格要求的通信、工业控制等应用领域的理想存储解决方案。
- 型号:MT49H32M18CFM-25:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:32M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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