EDB8164B4PR-1D-F-R TR是美光科技推出的一款8Gb容量移动LPDDR2 SDRAM。该器件采用128M x 64位架构，通过并联接口和533MHz的时钟频率提供高数据传输带宽，满足现代移动计算对内存性能的需求。
其核心优势在于优异的功耗管理，工作电压范围宽达1.14V至1.95V，有助于系统实现更长的电池续航。同时，器件采用紧凑的216-WFBGA封装，支持表面贴装，并能在-30°C至85°C的扩展温度范围内稳定工作，确保了在空间受限及环境多变的嵌入式应用中的高可靠性。
- 型号:EDB8164B4PR-1D-F-R TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:216-FBGA（12x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:128M x 64
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:216-WFBGA
- 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
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