MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR是一款由美光科技制造的512Gb（64G x 8）容量NAND闪存芯片，采用152-TBGA封装和表面贴装形式。该器件基于并联接口架构，支持高达166MHz的时钟频率，能够实现高速数据吞吐，满足对性能有要求的存储应用。
其工作电压范围宽泛（2.7V ~ 3.6V），提供了设计灵活性，工作温度范围为0°C ~ 70°C，适用于商业级环境。作为一款已停产的产品，其核心价值在于为现有系统提供大容量、非易失的存储解决方案，适用于需要稳定、可靠闪存介质的延续性项目。
- 型号:MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-TBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-TBGA
- 供应商器件封装:152-TBGA（14x18）
- 想获取MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
