MT41K128M16JT-125 M AIT:K TR 是美光科技生产的一款2Gb容量、采用DDR3L技术的并行接口SDRAM。该器件采用128M x 16位的组织架构，核心时钟频率为800MHz，可实现高达1600 MT/s的数据传输速率，并提供13.75ns的快速访问时间，能够满足中高性能计算应用对内存带宽和响应速度的需求。
其关键优势在于采用了低电压设计，工作电压范围为1.283V至1.45V，相比标准DDR3显著降低了动态和静态功耗。同时，该芯片具备宽温工作能力，支持-40°C至95°C（TC）的结温范围，并采用96-TFBGA小型化封装，使其非常适合于对功耗、尺寸和环境适应性有严格要求的工业控制、嵌入式系统及网络通信设备。
- 型号:MT41K128M16JT-125 M AIT:K TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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