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MICRON
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR的图片

EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
原厂封装:封装:134-VFBGA(10x11.5)
优势价格,EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR是美光科技生产的一款1Gb容量移动LPDDR2 SDRAM。该器件采用32位并联接口(32M x 32组织),运行时钟频率为533MHz,可实现1066Mbps/pin的数据传输速率,为嵌入式系统提供高效的内存带宽。

其核心优势在于出色的功耗管理,工作电压范围为1.14V至1.95V,并支持宽温操作(-40°C至85°C)。采用134-VFBGA紧凑封装,适合空间受限的便携式与工业应用,如移动计算平台和车载系统。该产品目前已停产,建议在设计中考虑其生命周期状态。

  • 型号:EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:134-VFBGA(10x11.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:32M x 32
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:134-VFBGA
  • 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5)
  • 想获取EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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