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MICRON
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D的图片

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
原厂封装:封装:134-VFBGA(10x11.5)
优势价格,EDB1332BDBH-1DAUT-F-D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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EDB1332BDBH-1DAUT-F-D的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D是美光科技生产的一款1Gb容量移动LPDDR2 SDRAM芯片。该器件采用32M x 32位的并行架构,时钟频率可达533MHz,为核心处理器提供高速数据带宽,有效提升系统响应与多任务处理能力。

其核心优势在于优异的功耗管理与环境适应性。工作电压支持1.14V至1.95V的宽范围,有助于实现动态功耗调节,延长便携设备的电池寿命。同时,其工作温度范围宽达-40°C至125°C(TC),并采用紧凑的134-VFBGA封装,确保了在空间受限且环境多变的嵌入式及汽车电子应用中的高可靠性与稳定运行。

  • 型号:EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:134-VFBGA(10x11.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:32M x 32
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:134-VFBGA
  • 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5)
  • 想获取EDB1332BDBH-1DAUT-F-D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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