M29F400BB70M6E是美光科技生产的一款4Mbit并行NOR闪存存储器，采用44-SOIC封装。该芯片提供512K x 8位或256K x 16位的存储容量配置，支持灵活的字节/字模式选择，便于集成到不同数据宽度的系统中。
其关键特性包括70ns的快速访问时间和写周期时间，工作电压范围为4.5V至5.5V，兼容标准的5V逻辑电平。器件工作温度范围为-40°C至85°C，具备工业级可靠性，适用于要求严苛的嵌入式环境。其并行接口设计简化了与微处理器的连接，主要用于存储固件、引导代码和关键配置参数。
- 型号:M29F400BB70M6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:44-SO
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8，256K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:44-SOIC（0.496，12.60mm 宽）
- 供应商器件封装:44-SO
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