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MICRON
PC48F4400P0VB0EF TR的图片

PC48F4400P0VB0EF TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA
原厂封装:封装:64-EasyBGA(10x13)
优势价格,PC48F4400P0VB0EF TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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PC48F4400P0VB0EF TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

PC48F4400P0VB0EF TR是美光科技推出的一款512Mb容量并行NOR闪存,隶属于成熟的StrataFlash产品系列。该芯片采用32M x 16位的存储结构,通过并联接口实现高速数据交换,其核心优势在于85ns的快速访问时间与高达52MHz的操作频率,能够显著提升嵌入式系统的代码执行与数据读取效率。

该器件工作电压范围为1.7V至2.0V,支持-40°C至85°C的宽温工作,体现了其低功耗与高可靠性的设计。采用64-LBGA(EASYBGA)表面贴装封装,适用于空间受限的PCB设计。这些特性使其成为工业控制、汽车电子及网络通信等要求严苛的嵌入式系统中,用于存储和执行关键固件代码的理想非易失性存储器解决方案。

  • 型号:PC48F4400P0VB0EF TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:64-EasyBGA(10x13)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:32M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:52 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:85ns
  • 访问时间:85 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:64-LBGA
  • 供应商器件封装:64-EasyBGA(10x13)
  • 想获取PC48F4400P0VB0EF TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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