MT44K32M18RB-107E:B

MT44K32M18RB-107E:B是一款由美光科技制造的576Mb容量并行接口DRAM芯片。其核心规格为32M字深、18位I/O宽度，运行时钟频率可达933MHz，并具备8ns的快速访问时间，能够为系统提供高带宽、低延迟的数据存取能力。

该器件采用1.28V至1.42V的低电压供电，有助于优化功耗。其表面贴装式的168-TBGA封装和0°C至95°C（TC）的宽工作温度范围，确保了在紧凑空间及严苛环境下的可靠性与适用性，主要面向需要高速数据缓冲和处理的网络通信、工业控制及专业嵌入式设备。

• 型号:MT44K32M18RB-107E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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