NAND512W3A2CN6E是美光科技生产的一款512Mb容量并行接口NAND闪存芯片。其核心架构为64M x 8位组织，采用标准的异步控制接口，便于与各类微处理器或控制器直接连接。
该器件提供50ns的页写周期和访问时间，确保了良好的数据吞吐性能。其工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，具备较强的环境适应性。芯片采用48-TSOP表面贴装封装，适用于对板卡空间有要求的嵌入式设计。
- 型号:NAND512W3A2CN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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