NAND256W3A2BZA6E是美光科技生产的一款256Mb（32M x 8）并行接口NAND闪存，采用55-TFBGA封装。它提供50ns的快速访问和写入周期时间，工作电压为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级温度范围，确保了在苛刻环境下的数据存储可靠性。
作为一款表面贴装型非易失性存储器，其并联接口便于系统集成，适用于需要中等存储密度和稳定性能的嵌入式应用。该器件以其成熟的架构和规格，服务于对数据存储有持续需求的电子系统。
- 型号:NAND256W3A2BZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:55-VFBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PAR 55VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:55-TFBGA
- 供应商器件封装:55-VFBGA（8x10）
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