NAND256W3A2BN6F TR是美光科技推出的一款256Mb容量并行NAND闪存芯片，采用32M x 8位的组织结构。该器件提供50ns的快速页写入和访问时间，并支持2.7V至3.6V的宽电压供电，确保了在各类嵌入式系统中的兼容性与性能表现。
其工业级工作温度范围（-40°C至85°C）和非易失性存储特性，使其非常适合应用于对环境适应性和数据可靠性有要求的领域，如工业控制、网络设备和消费电子等，作为固件或参数存储介质。
- 型号:NAND256W3A2BN6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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