NAND256W3A2BN6E是美光科技生产的一款256Mb并行NAND闪存芯片，采用48-TSOP封装，提供32M x 8位的存储结构。该芯片基于非易失性闪存技术，支持2.7V至3.6V宽电压供电，并具备-40°C至85°C的工业级温度范围，适用于严苛环境。
其核心特性包括50ns的快速访问时间和写入周期时间，通过并联接口实现高效数据传输。作为一款已停产器件，它仍可用于嵌入式存储、工业控制及通信设备等对成本敏感且需可靠数据存储的应用场景。
- 型号:NAND256W3A2BN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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